Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) は、パワー デバイスの革新的な技術を開発するために、2016 年にケンブリッジ大学の Florin Udrea 教授と Giorgia Longobardi 博士によってスピンアウトされたファブレス半導体企業です。私たちの使命は、非常に効率的で使いやすいトランジスタを提供することでパワー エレクトロニクスの未来を形作ることです。 CGD は、エネルギー効率とコンパクトさの大幅な変化を可能にし、大量生産に適した GaN トランジスタと IC を設計、開発、商品化します。

ディスクリート半導体製品

関連部品

CGD65A055S2-T07

650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

CGD65A130S2-T13

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.

CGD65B130S2-T13

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.

CGD65B200S2-T13

650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.